SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발... HBM 더 좋아진다

SK하이닉스가 현존하는 D램 중 가장 미세한 공정을 적용한 10나노(㎚·1㎚=10억 분의 1m)급 6세대 D램을 세계 최초로 개발했다. 이 기술은 인공지능(AI) 반도체용 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 메모리에 적용돼, SK하이닉스의 HBM 시장 선도에 가속도가 붙을 전망이다.

29일 SK하이닉스는 10나노(㎚·1㎚=10억 분의 1m)급 6세대 1c 공정을 적용한 16기가바이트(Gb) DDR5 D램 개발에 성공했다고 밝혔다. ‘1c’는 D램 공정의 미세도에 따른 세대 구분으로, 10나노 D램 1~3세대가 1x, 1y, 1z였고 4~6세대가 각각 1a, 1b, 1c로 표현된다. 현재 사용되는 최첨단 5세대 1b D램을 능가하는 차세대 제품을 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 것이다. SK하이닉스는 “연내 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급할 계획”이라고 밝혔다.

이번에 개발한 1c DDR5 D램은 고성능과 원가 경쟁력을 동시에 갖췄다는 게 회사의 설명이다. 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 전 세대 대비 11% 빨라졌고 전력 효율은 9% 개선됐으며, 1c DDR5를 데이터센터에 적용할 경우 전기료를 30% 절감할 수 있다는 것.

메모리 반도체도 초미세 공정은 극자외선(EUV) 노광 장비를 사용하는데, SK하이닉스는 EUV 특정 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편 EUV를 적용하는 공정을 최적화해, 1c DDR5 공정의 생산성을 전 세대 대비 30% 이상 끌어올렸다고 밝혔다.

1c D램은 AI 가속기용 HBM, 모바일용 저전력 LPDDR, 그래픽처리용 GDDR 등 D램 기반으로 한 첨단 메모리 제품에 적용하게 된다. AI 서버 수요 증가와 온디바이스 AI 제품 확대 등으로 첨단 D램 수요는 늘어나는 중이다.

특히 SK하이닉스는 차차세대 HBM인 HBM4E(7세대)에 1c D램을 사용할 예정이다. HBM 시장의 경쟁자인 삼성전자는 6세대인 HBM4부터 1c D램을 사용할 계획인데, SK하이닉스가 도리어 삼성보다 먼저 1c D램 개발에 성공한 것이다. 김종환 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 “1c 기술을 차세대 HBM과 LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용해 고객에 차별화된 가치를 제공하겠다“라고 밝혔다.



심서현([e-mail])